C3M0120100K Datenblatt
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Cree/Wolfspeed
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C3M0120100K
Cree/Wolfspeed Hersteller Cree/Wolfspeed Serie C3M™ FET-Typ N-Channel Technologie SiCFET (Silicon Carbide) Drain to Source Voltage (Vdss) 1000V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 22A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs 155mOhm @ 15A, 15V Vgs (th) (Max) @ Id 3.5V @ 3mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 21.5nC @ 15V Vgs (Max) ±15V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 350pF @ 600V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 83W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Lieferantengerätepaket TO-247-4L Paket / Fall TO-247-4 |