BUK9Y8R5-80EX Datenblatt
BUK9Y8R5-80EX Datenblatt
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Nexperia
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BUK9Y8R5-80EX
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Hersteller Nexperia USA Inc. Serie - FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 80V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 100A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 5V Rds On (Max) @ Id, Vgs 8mOhm @ 25A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.1V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 54.7nC @ 5V Vgs (Max) ±10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 8167pF @ 25V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 238W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket LFPAK56, Power-SO8 Paket / Fall SC-100, SOT-669 |
