BUK9C10-65BIT Datenblatt
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Nexperia
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BUK9C10-65BIT,118
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Hersteller Nexperia USA Inc. Serie Automotive, AEC-Q101 FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 65V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 75A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 8.3mOhm @ 25A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 59.6nC @ 5V Vgs (Max) ±15V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 4170pF @ 25V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 171W (Ta) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket D2PAK-7 Paket / Fall TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab) |
