BUK7Y35-55B Datenblatt
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NXP
Dieses Datenblatt behandelt 1 Teilenummern:
BUK7Y35-55B,115
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Hersteller NXP USA Inc. Serie TrenchMOS™ FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 55V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 28.43A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 35mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 13.1nC @ 10V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 781pF @ 25V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 60W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket LFPAK56, Power-SO8 Paket / Fall SC-100, SOT-669 |
