BUK7109-75ATE Datenblatt
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Nexperia
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BUK7109-75ATE,118
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Hersteller Nexperia USA Inc. Serie TrenchMOS™ FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 75V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 75A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 9mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 121nC @ 10V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 4700pF @ 25V FET-Funktion Temperature Sensing Diode Verlustleistung (max.) 272W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket SOT-426 Paket / Fall TO-263-5, D²Pak (4 Leads + Tab), TO-263BB |
