Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

BUJ303B Datenblatt

BUJ303B Datenblatt
Total Pages: 9
Größe: 346,84 KB
WeEn Semiconductors
Dieses Datenblatt behandelt 1 Teilenummern: BUJ303B,127
BUJ303B Datenblatt Seite 1
BUJ303B Datenblatt Seite 2
BUJ303B Datenblatt Seite 3
BUJ303B Datenblatt Seite 4
BUJ303B Datenblatt Seite 5
BUJ303B Datenblatt Seite 6
BUJ303B Datenblatt Seite 7
BUJ303B Datenblatt Seite 8
BUJ303B Datenblatt Seite 9
BUJ303B,127

WeEn Semiconductors

Hersteller

WeEn Semiconductors

Serie

-

Transistortyp

NPN

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

5A

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

400V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

1.5V @ 1A, 3A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

100µA

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

23 @ 800mA, 3V

Leistung - max

100W

Frequenz - Übergang

-

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3

Lieferantengerätepaket

TO-220AB