Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

BSS315PL6327HTSA1 Datenblatt

BSS315PL6327HTSA1 Datenblatt
Total Pages: 9
Größe: 559,74 KB
Infineon Technologies
Dieses Datenblatt behandelt 1 Teilenummern: BSS315PL6327HTSA1
BSS315PL6327HTSA1 Datenblatt Seite 1
BSS315PL6327HTSA1 Datenblatt Seite 2
BSS315PL6327HTSA1 Datenblatt Seite 3
BSS315PL6327HTSA1 Datenblatt Seite 4
BSS315PL6327HTSA1 Datenblatt Seite 5
BSS315PL6327HTSA1 Datenblatt Seite 6
BSS315PL6327HTSA1 Datenblatt Seite 7
BSS315PL6327HTSA1 Datenblatt Seite 8
BSS315PL6327HTSA1 Datenblatt Seite 9
BSS315PL6327HTSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

OptiMOS™

FET-Typ

P-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

1.5A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

150mOhm @ 1.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 11µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

2.3nC @ 5V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

282pF @ 15V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

500mW (Ta)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

SOT-23-3

Paket / Fall

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3