BSP100 Datenblatt
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Nexperia
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BSP100,135
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Hersteller Nexperia USA Inc. Serie TrenchMOS™ FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 3.2A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 100mOhm @ 2.2A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.8V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 6nC @ 10V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 250pF @ 20V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 8.3W (Tc) Betriebstemperatur -65°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket SC-73 Paket / Fall TO-261-4, TO-261AA |