BSO615CT Datenblatt
BSO615CT Datenblatt
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Infineon Technologies
Website: https://www.infineon.com
Dieses Datenblatt behandelt 1 Teilenummern:
BSO615CT
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Hersteller Infineon Technologies Serie SIPMOS® FET-Typ N and P-Channel FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 3.1A, 2A Rds On (Max) @ Id, Vgs 110mOhm @ 3.1A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 20µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 22.5nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 380pF @ 25V Leistung - max 2W Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket PG-DSO-8 |
