BSO130P03SNTMA1 Datenblatt
BSO130P03SNTMA1 Datenblatt
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Infineon Technologies
Website: https://www.infineon.com
Dieses Datenblatt behandelt 1 Teilenummern:
BSO130P03SNTMA1
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Hersteller Infineon Technologies Serie OptiMOS™ FET-Typ P-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 9.2A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 13mOhm @ 11.3A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.2V @ 140µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 81nC @ 10V Vgs (Max) ±25V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3520pF @ 25V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 1.56W (Ta) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket P-DSO-8 Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
