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BSM150GB170DN2HOSA1 Datenblatt

BSM150GB170DN2HOSA1 Datenblatt
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Infineon Technologies
Dieses Datenblatt behandelt 1 Teilenummern: BSM150GB170DN2HOSA1
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BSM150GB170DN2HOSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Konfiguration

Half Bridge

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1700V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

220A

Leistung - max

1250W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.9V @ 15V, 150A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

1.5mA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

20nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Module

Lieferantengerätepaket

Module