BSD223P L6327 Datenblatt
Infineon Technologies Hersteller Infineon Technologies Serie OptiMOS™ FET-Typ 2 P-Channel (Dual) FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 390mA Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.2Ohm @ 390mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1.2V @ 1.5µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 0.62nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 56pF @ 15V Leistung - max 250mW Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 Lieferantengerätepaket PG-SOT363-6 |
Infineon Technologies Hersteller Infineon Technologies Serie OptiMOS™ FET-Typ 2 P-Channel (Dual) FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 390mA Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.2Ohm @ 390mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1.2V @ 1.5µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 0.62nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 56pF @ 15V Leistung - max 250mW Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 Lieferantengerätepaket PG-SOT363-6 |