BSC200P03LSGAUMA1 Datenblatt
BSC200P03LSGAUMA1 Datenblatt
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Infineon Technologies
Website: https://www.infineon.com
Dieses Datenblatt behandelt 1 Teilenummern:
BSC200P03LSGAUMA1
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Hersteller Infineon Technologies Serie OptiMOS™ FET-Typ P-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 9.9A (Ta), 12.5A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 20mOhm @ 12.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.2V @ 100µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 48.5nC @ 10V Vgs (Max) ±25V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2430pF @ 15V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 2.5W (Ta), 63W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket PG-TDSON-8-1 Paket / Fall 8-PowerTDFN |
