BSC048N025S G Datenblatt
BSC048N025S G Datenblatt
Total Pages: 10
Größe: 374,62 KB
Infineon Technologies
Website: https://www.infineon.com
Dieses Datenblatt behandelt 1 Teilenummern:
BSC048N025S G
|
Hersteller Infineon Technologies Serie OptiMOS™ FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 25V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 19A (Ta), 89A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.8mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 35µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 21nC @ 5V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2670pF @ 15V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 2.8W (Ta), 63W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket PG-TDSON-8-1 Paket / Fall 8-PowerTDFN |
