BRCD016GWZ-3E2 Datenblatt
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Rohm Semiconductor
Website: https://www.rohm.com/
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BRCD016GWZ-3E2
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Rohm Semiconductor Hersteller Rohm Semiconductor Serie - Speichertyp Non-Volatile Speicherformat EEPROM Technologie EEPROM Speichergröße 16Kb (2K x 8) Speicherschnittstelle I²C Taktfrequenz 400kHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite 5ms Zugriffszeit - Spannung - Versorgung 1.7V ~ 3.6V Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 6-XFBGA, CSPBGA Lieferantengerätepaket UCSP35L1 |