BFU730F Datenblatt
BFU730F Datenblatt
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NXP
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BFU730F,115
NXP Hersteller NXP USA Inc. Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 2.8V Frequenz - Übergang 55GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) 0.8dB ~ 1.3dB @ 5.8GHz ~ 12GHz Gewinn - Leistung - max 197mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 205 @ 2mA, 2V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 30mA Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SOT-343F Lieferantengerätepaket 4-DFP |