BFU660F Datenblatt
BFU660F Datenblatt
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NXP
Dieses Datenblatt behandelt 1 Teilenummern:
BFU660F,115
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Hersteller NXP USA Inc. Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 5.5V Frequenz - Übergang 21GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) 0.6dB ~ 1.2dB @ 1.5GHz ~ 5.8GHz Gewinn 12dB ~ 21dB Leistung - max 225mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 90 @ 10mA, 2V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 60mA Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SOT-343F Lieferantengerätepaket 4-DFP |
