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BFG10W/X Datenblatt

BFG10W/X Datenblatt
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NXP
Dieses Datenblatt behandelt 1 Teilenummern: BFG10W/X,115
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Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

10V

Frequenz - Übergang

1.9GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

-

Leistung - max

400mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

25 @ 50mA, 5V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

250mA

Betriebstemperatur

175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOT-343 Reverse Pinning

Lieferantengerätepaket

4-SO