BF799E6327HTSA1 Datenblatt
BF799E6327HTSA1 Datenblatt
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Infineon Technologies
Website: https://www.infineon.com
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BF799E6327HTSA1
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Hersteller Infineon Technologies Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 20V Frequenz - Übergang 800MHz Rauschzahl (dB Typ @ f) 3dB @ 100MHz Gewinn - Leistung - max 280mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 40 @ 20mA, 10V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 35mA Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket SOT-23-3 |
