BD810 Datenblatt
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Hersteller ON Semiconductor Serie - Transistortyp PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.) 10A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 80V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 1.1V @ 300mA, 3A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 1mA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 15 @ 4A, 2V Leistung - max 90W Frequenz - Übergang 1.5MHz Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-3 Lieferantengerätepaket TO-220AB |
Hersteller ON Semiconductor Serie - Transistortyp PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.) 10A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 80V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 1.1V @ 300mA, 3A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 1mA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 15 @ 4A, 2V Leistung - max 90W Frequenz - Übergang 1.5MHz Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-3 Lieferantengerätepaket TO-220AB |
Hersteller ON Semiconductor Serie - Transistortyp NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.) 10A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 80V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 1.1V @ 300mA, 3A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 1mA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 15 @ 4A, 2V Leistung - max 90W Frequenz - Übergang 1.5MHz Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-3 Lieferantengerätepaket TO-220AB |
