Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

BCR562E6327HTSA1 Datenblatt

BCR562E6327HTSA1 Datenblatt
Total Pages: 6
Größe: 526,06 KB
Infineon Technologies
Dieses Datenblatt behandelt 1 Teilenummern: BCR562E6327HTSA1
BCR562E6327HTSA1 Datenblatt Seite 1
BCR562E6327HTSA1 Datenblatt Seite 2
BCR562E6327HTSA1 Datenblatt Seite 3
BCR562E6327HTSA1 Datenblatt Seite 4
BCR562E6327HTSA1 Datenblatt Seite 5
BCR562E6327HTSA1 Datenblatt Seite 6
BCR562E6327HTSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

Transistortyp

PNP - Pre-Biased

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

500mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

50V

Widerstand - Basis (R1)

4.7 kOhms

Widerstand - Emitterbasis (R2)

4.7 kOhms

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

60 @ 50mA, 5V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 2.5mA, 50mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

100nA (ICBO)

Frequenz - Übergang

150MHz

Leistung - max

330mW

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Lieferantengerätepaket

SOT-23-3