BCR 103T E6327 Datenblatt
Infineon Technologies Hersteller Infineon Technologies Serie - Transistortyp NPN - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.) 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 50V Widerstand - Basis (R1) 2.2 kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2) 2.2 kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 20 @ 20mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 1mA, 20mA Strom - Kollektorabschaltung (max.) 100nA (ICBO) Frequenz - Übergang 140MHz Leistung - max 250mW Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SC-75, SOT-416 Lieferantengerätepaket PG-SC-75 |
Infineon Technologies Hersteller Infineon Technologies Serie - Transistortyp NPN - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.) 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 50V Widerstand - Basis (R1) 2.2 kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2) 2.2 kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 20 @ 20mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 1mA, 20mA Strom - Kollektorabschaltung (max.) 100nA (ICBO) Frequenz - Übergang 140MHz Leistung - max 250mW Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SC-101, SOT-883 Lieferantengerätepaket PG-TSLP-3-4 |
Infineon Technologies Hersteller Infineon Technologies Serie - Transistortyp NPN - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.) 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 50V Widerstand - Basis (R1) 2.2 kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2) 2.2 kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 20 @ 20mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 1mA, 20mA Strom - Kollektorabschaltung (max.) 100nA (ICBO) Frequenz - Übergang 140MHz Leistung - max 250mW Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SOT-723 Lieferantengerätepaket PG-TSFP-3 |