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BAS216 Datenblatt

BAS216 Datenblatt
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NXP
Dieses Datenblatt behandelt 2 Teilenummern: BAS216,115, BAS216,135
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BAS216 Datenblatt Seite 9

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

75V

Current - Average Rectified (Io)

250mA (DC)

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.25V @ 150mA

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

4ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

1µA @ 75V

Kapazität @ Vr, F.

1.5pF @ 0V, 1MHz

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOD-110

Lieferantengerätepaket

SOD110

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

150°C (Max)

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

75V

Current - Average Rectified (Io)

250mA (DC)

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.25V @ 150mA

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

4ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

1µA @ 75V

Kapazität @ Vr, F.

1.5pF @ 0V, 1MHz

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOD-110

Lieferantengerätepaket

SOD110

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

150°C (Max)