Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

AUXFN8403TR Datenblatt

AUXFN8403TR Datenblatt
Total Pages: 11
Größe: 424 KB
Infineon Technologies
Dieses Datenblatt behandelt 1 Teilenummern: AUXFN8403TR
AUXFN8403TR Datenblatt Seite 1
AUXFN8403TR Datenblatt Seite 2
AUXFN8403TR Datenblatt Seite 3
AUXFN8403TR Datenblatt Seite 4
AUXFN8403TR Datenblatt Seite 5
AUXFN8403TR Datenblatt Seite 6
AUXFN8403TR Datenblatt Seite 7
AUXFN8403TR Datenblatt Seite 8
AUXFN8403TR Datenblatt Seite 9
AUXFN8403TR Datenblatt Seite 10
AUXFN8403TR Datenblatt Seite 11
AUXFN8403TR

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

40V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

95A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3.3mOhm @ 50A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.9V @ 100µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

98nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

3174pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

94W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

8-PQFN (5x6)

Paket / Fall

8-TQFN Exposed Pad