AU5517DR2G Datenblatt
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Hersteller ON Semiconductor Serie - Verstärkertyp Transconductance Anzahl der Schaltkreise 2 Ausgabetyp Push-Pull Anstiegsgeschwindigkeit 50V/µs Produkt mit Bandbreite gewinnen 2MHz -3db Bandbreite - Current - Input Bias 400nA Spannung - Eingangsversatz 400µV Stromversorgung 2.6mA Strom - Ausgang / Kanal 650µA Spannung - Versorgung, einfach / doppelt (±) 4V ~ 44V, ±2V ~ 22V Betriebstemperatur -40°C ~ 125°C Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket 16-SOIC |
Hersteller ON Semiconductor Serie - Verstärkertyp Transconductance Anzahl der Schaltkreise 2 Ausgabetyp Push-Pull Anstiegsgeschwindigkeit 50V/µs Produkt mit Bandbreite gewinnen 2MHz -3db Bandbreite - Current - Input Bias 400nA Spannung - Eingangsversatz 400µV Stromversorgung 2.6mA Strom - Ausgang / Kanal 650µA Spannung - Versorgung, einfach / doppelt (±) 4V ~ 44V, ±2V ~ 22V Betriebstemperatur 0°C ~ 70°C Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket 16-SOIC |
Hersteller ON Semiconductor Serie - Verstärkertyp Transconductance Anzahl der Schaltkreise 2 Ausgabetyp Push-Pull Anstiegsgeschwindigkeit 50V/µs Produkt mit Bandbreite gewinnen 2MHz -3db Bandbreite - Current - Input Bias 400nA Spannung - Eingangsversatz 400µV Stromversorgung 2.6mA Strom - Ausgang / Kanal 650µA Spannung - Versorgung, einfach / doppelt (±) 4V ~ 44V, ±2V ~ 22V Betriebstemperatur 0°C ~ 70°C Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket 16-SOIC |
