ATP108-TL-H Datenblatt
ATP108-TL-H Datenblatt
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ON Semiconductor
Website: http://www.onsemi.com/
Dieses Datenblatt behandelt 1 Teilenummern:
ATP108-TL-H
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Hersteller ON Semiconductor Serie - FET-Typ P-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 40V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 70A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 10.4mOhm @ 35A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 79.5nC @ 10V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3850pF @ 20V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 60W (Tc) Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket ATPAK Paket / Fall ATPAK (2 leads+tab) |
