AS4C4M16D1A-5TAN Datenblatt
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Hersteller Alliance Memory, Inc. Serie Automotive, AEC-Q100 Speichertyp Volatile Speicherformat DRAM Technologie SDRAM - DDR Speichergröße 64Mb (4M x 16) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz 200MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite 15ns Zugriffszeit 700ps Spannung - Versorgung 2.3V ~ 2.7V Betriebstemperatur -40°C ~ 105°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width) Lieferantengerätepaket 66-TSOP II |
Hersteller Alliance Memory, Inc. Serie Automotive, AEC-Q100 Speichertyp Volatile Speicherformat DRAM Technologie SDRAM - DDR Speichergröße 64Mb (4M x 16) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz 200MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite 15ns Zugriffszeit 700ps Spannung - Versorgung 2.3V ~ 2.7V Betriebstemperatur -40°C ~ 105°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width) Lieferantengerätepaket 66-TSOP II |
