APTM50UM19SG Datenblatt
APTM50UM19SG Datenblatt
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Microsemi
Website: https://www.microsemi.com/
Dieses Datenblatt behandelt 1 Teilenummern:
APTM50UM19SG
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Hersteller Microsemi Corporation Serie - FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 500V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 163A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 19mOhm @ 81.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 10mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 492nC @ 10V Vgs (Max) ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 22400pF @ 25V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 1136W (Tc) Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Chassis Mount Lieferantengerätepaket Module Paket / Fall J3 Module |
