APTM120U10DAG Datenblatt
APTM120U10DAG Datenblatt
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Microsemi
Website: https://www.microsemi.com/
Dieses Datenblatt behandelt 1 Teilenummern:
APTM120U10DAG
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Hersteller Microsemi Corporation Serie - FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 1200V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 160A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 120mOhm @ 58A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 20mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 1100nC @ 10V Vgs (Max) ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 28900pF @ 25V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 3290W (Tc) Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Chassis Mount Lieferantengerätepaket SP6 Paket / Fall SP6 |
