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APT44GA60BD30C Datenblatt

APT44GA60BD30C Datenblatt
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Microsemi
Dieses Datenblatt behandelt 1 Teilenummern: APT44GA60BD30C
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APT44GA60BD30C

Microsemi

APT44GA60BD30C

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

POWER MOS 8™

IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

78A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

130A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.6V @ 15V, 26A

Leistung - max

337W

Schaltenergie

409µJ (on), 450µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

128nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

16ns/102ns

Testbedingung

400V, 26A, 4.7Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247 [B]