APT40SM120J Datenblatt
APT40SM120J Datenblatt
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Microsemi
Website: https://www.microsemi.com/
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APT40SM120J
Microsemi Hersteller Microsemi Corporation Serie - FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 1200V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 32A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 20V Rds On (Max) @ Id, Vgs 100mOhm @ 20A, 20V Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 1mA (Typ) Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 130nC @ 20V Vgs (Max) +25V, -10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2560pF @ 1000V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 165W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Chassis Mount Lieferantengerätepaket SOT-227 Paket / Fall SOT-227-4, miniBLOC |