APT25GR120SSCD10 Datenblatt
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Hersteller Microsemi Corporation Serie - IGBT-Typ NPT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 75A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 100A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 3.2V @ 15V, 25A Leistung - max 521W Schaltenergie 434µJ (on), 466µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 203nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 16ns/122ns Testbedingung 600V, 25A, 4.3Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA Lieferantengerätepaket D3Pak |
Hersteller Microsemi Corporation Serie - IGBT-Typ NPT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 75A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 100A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 3.2V @ 15V, 25A Leistung - max 521W Schaltenergie 434µJ (on), 466µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 203nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 16ns/122ns Testbedingung 600V, 25A, 4.3Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247 |
