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APT11GF120BRDQ1G Datenblatt

APT11GF120BRDQ1G Datenblatt
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Microsemi
Dieses Datenblatt behandelt 1 Teilenummern: APT11GF120BRDQ1G
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APT11GF120BRDQ1G

Microsemi

APT11GF120BRDQ1G

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

IGBT-Typ

NPT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

25A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

24A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3V @ 15V, 8A

Leistung - max

156W

Schaltenergie

300µJ (on), 285µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

65nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

7ns/100ns

Testbedingung

800V, 8A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247 [B]