AOV20S60 Datenblatt
AOV20S60 Datenblatt
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Alpha & Omega Semiconductor
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AOV20S60
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Hersteller Alpha & Omega Semiconductor Inc. Serie aMOS™ FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 600V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 3.6A (Ta), 18A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 250mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4.1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 20nC @ 10V Vgs (Max) ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1038pF @ 100V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 8.3W (Ta), 278W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket 4-DFN-EP (8x8) Paket / Fall 4-PowerTSFN |
