AOU2N60A Datenblatt
AOU2N60A Datenblatt
Total Pages: 6
Größe: 428,68 KB
Alpha & Omega Semiconductor
Dieses Datenblatt behandelt 1 Teilenummern:
AOU2N60A
|
Hersteller Alpha & Omega Semiconductor Inc. Serie - FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 600V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 2A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.7Ohm @ 1A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 11nC @ 10V Vgs (Max) ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 295pF @ 25V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 57W (Tc) Betriebstemperatur -50°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Lieferantengerätepaket TO-251-3 Paket / Fall TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
