AOT410L Datenblatt
AOT410L Datenblatt
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Alpha & Omega Semiconductor
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AOT410L
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Hersteller Alpha & Omega Semiconductor Inc. Serie SDMOS™ FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 12A (Ta), 150A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 7V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 6.5mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 129nC @ 10V Vgs (Max) ±25V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 7950pF @ 50V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 1.9W (Ta), 333W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Lieferantengerätepaket TO-220 Paket / Fall TO-220-3 |
