AOI9N50 Datenblatt
AOI9N50 Datenblatt
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Alpha & Omega Semiconductor
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AOI9N50
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Hersteller Alpha & Omega Semiconductor Inc. Serie - FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 500V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 9A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 860mOhm @ 4.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 24nC @ 10V Vgs (Max) ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1160pF @ 25V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 178W (Tc) Betriebstemperatur -50°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Lieferantengerätepaket TO-251A Paket / Fall TO-251-3 Stub Leads, IPak |
