AO3160E Datenblatt
AO3160E Datenblatt
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Alpha & Omega Semiconductor
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AO3160E
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Hersteller Alpha & Omega Semiconductor Inc. Serie - FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 600V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 40mA (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 500Ohm @ 16mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 3.2V @ 8µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 900pC @ 10V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 9.5pF @ 25V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 1.39W (Ta) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket SOT-23A-3 Paket / Fall TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
