5LP01M-TL-E Datenblatt
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Hersteller ON Semiconductor Serie - FET-Typ P-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 50V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 70mA (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 1.5V, 4V Rds On (Max) @ Id, Vgs 23Ohm @ 40mA, 4V Vgs (th) (Max) @ Id - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 1.4nC @ 10V Vgs (Max) ±10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 7.4pF @ 10V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 150mW (Ta) Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket 3-MCP Paket / Fall SC-70, SOT-323 |
Hersteller ON Semiconductor Serie - FET-Typ P-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 50V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 70mA (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 1.5V, 4V Rds On (Max) @ Id, Vgs 23Ohm @ 40mA, 4V Vgs (th) (Max) @ Id - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 1.4nC @ 10V Vgs (Max) ±10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 7.4pF @ 10V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 150mW (Ta) Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket 3-MCP Paket / Fall SC-70, SOT-323 |
