4N35(SHORT Datenblatt
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Toshiba Semiconductor and Storage
Website: http://www.toshiba.com/taec/
Dieses Datenblatt behandelt 1 Teilenummern:
4N35(SHORT,F)
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Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage Serie - Anzahl der Kanäle 1 Spannungsisolation 2500Vrms Stromübertragungsverhältnis (min) 40% @ 10mA Stromübertragungsverhältnis (max.) - Ein- / Ausschaltzeit (Typ) 3µs, 3µs Anstiegs- / Abfallzeit (Typ) - Eingabetyp DC Ausgabetyp Transistor with Base Spannung - Ausgang (max.) 30V Strom - Ausgang / Kanal 100mA Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ) 1.15V Strom - DC Vorwärts (wenn) (max) 60mA Vce-Sättigung (max.) 300mV Betriebstemperatur -55°C ~ 100°C Montagetyp Through Hole Paket / Fall 6-DIP (0.300", 7.62mm) Lieferantengerätepaket 6-DIP |
