4N26(SHORT Datenblatt
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Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage Serie - Anzahl der Kanäle 1 Spannungsisolation 2500Vrms Stromübertragungsverhältnis (min) 20% @ 10mA Stromübertragungsverhältnis (max.) - Ein- / Ausschaltzeit (Typ) - Anstiegs- / Abfallzeit (Typ) 2µs, 200µs Eingabetyp DC Ausgabetyp Transistor with Base Spannung - Ausgang (max.) 30V Strom - Ausgang / Kanal 100mA Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ) 1.15V Strom - DC Vorwärts (wenn) (max) 80mA Vce-Sättigung (max.) 500mV Betriebstemperatur -55°C ~ 100°C Montagetyp Through Hole Paket / Fall 6-DIP (0.300", 7.62mm) Lieferantengerätepaket 6-DIP |
Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage Serie - Anzahl der Kanäle 1 Spannungsisolation 2500Vrms Stromübertragungsverhältnis (min) 20% @ 10mA Stromübertragungsverhältnis (max.) - Ein- / Ausschaltzeit (Typ) - Anstiegs- / Abfallzeit (Typ) 2µs, 200µs Eingabetyp DC Ausgabetyp Transistor with Base Spannung - Ausgang (max.) 30V Strom - Ausgang / Kanal 100mA Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ) 1.15V Strom - DC Vorwärts (wenn) (max) 80mA Vce-Sättigung (max.) 500mV Betriebstemperatur -55°C ~ 100°C Montagetyp Through Hole Paket / Fall 6-DIP (0.300", 7.62mm) Lieferantengerätepaket 6-DIP |
Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage Serie - Anzahl der Kanäle 1 Spannungsisolation 2500Vrms Stromübertragungsverhältnis (min) 20% @ 10mA Stromübertragungsverhältnis (max.) - Ein- / Ausschaltzeit (Typ) - Anstiegs- / Abfallzeit (Typ) 2µs, 200µs Eingabetyp DC Ausgabetyp Transistor with Base Spannung - Ausgang (max.) 30V Strom - Ausgang / Kanal 100mA Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ) 1.15V Strom - DC Vorwärts (wenn) (max) 80mA Vce-Sättigung (max.) 500mV Betriebstemperatur -55°C ~ 100°C Montagetyp Through Hole Paket / Fall 6-DIP (0.300", 7.62mm) Lieferantengerätepaket 6-DIP |
