2SK545-11D-TB-E Datenblatt
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ON Semiconductor
Website: http://www.onsemi.com/
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2SK545-11D-TB-E






Hersteller ON Semiconductor Serie - FET-Typ N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS) - Drain to Source Voltage (Vdss) 40V Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) 60µA @ 10V Stromaufnahme (Id) - max 1mA Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id 1.5V @ 1µA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1.7pF @ 10V Widerstand - RDS (Ein) - Leistung - max 125mW Betriebstemperatur - Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket 3-CP |