Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

2SK2507(F) Datenblatt

2SK2507(F) Datenblatt
Total Pages: 6
Größe: 446,02 KB
Toshiba Semiconductor and Storage
Dieses Datenblatt behandelt 1 Teilenummern: 2SK2507(F)
2SK2507(F) Datenblatt Seite 1
2SK2507(F) Datenblatt Seite 2
2SK2507(F) Datenblatt Seite 3
2SK2507(F) Datenblatt Seite 4
2SK2507(F) Datenblatt Seite 5
2SK2507(F) Datenblatt Seite 6
2SK2507(F)

Toshiba Semiconductor and Storage

Hersteller

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

50V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

25A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

46mOhm @ 12A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

25nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

900pF @ 10V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

30W (Tc)

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-220NIS

Paket / Fall

TO-220-3 Full Pack