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2SD2129 Datenblatt

2SD2129 Datenblatt
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Toshiba Semiconductor and Storage
Dieses Datenblatt behandelt 2 Teilenummern: 2SD2129,LS4ALPSQ(M, 2SD2129,ALPSQ(M
2SD2129 Datenblatt Seite 1
2SD2129 Datenblatt Seite 2
2SD2129 Datenblatt Seite 3
2SD2129 Datenblatt Seite 4
2SD2129 Datenblatt Seite 5
2SD2129,LS4ALPSQ(M

Toshiba Semiconductor and Storage

2SD2129,LS4ALPSQ(M

Hersteller

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

-

Transistortyp

NPN

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

3A

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

100V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

2V @ 12mA, 3A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

100µA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

2000 @ 1.5A, 3V

Leistung - max

2W

Frequenz - Übergang

-

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3 Full Pack

Lieferantengerätepaket

TO-220NIS
2SD2129,ALPSQ(M

Toshiba Semiconductor and Storage

2SD2129,ALPSQ(M

Hersteller

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

-

Transistortyp

NPN

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

3A

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

100V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

2V @ 12mA, 3A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

100µA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

2000 @ 1.5A, 3V

Leistung - max

2W

Frequenz - Übergang

-

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3 Full Pack

Lieferantengerätepaket

TO-220NIS