2SD1012G-SPA-AC Datenblatt
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Hersteller ON Semiconductor Serie - Transistortyp NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.) 700mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 15V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 80mV @ 10mA, 100mA Strom - Kollektorabschaltung (max.) 1µA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 280 @ 50mA, 2V Leistung - max 250mW Frequenz - Übergang 250MHz Betriebstemperatur 125°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall 3-SIP Lieferantengerätepaket 3-SPA |
Hersteller ON Semiconductor Serie - Transistortyp NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.) 700mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 15V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 80mV @ 10mA, 100mA Strom - Kollektorabschaltung (max.) 1µA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 160 @ 50mA, 2V Leistung - max 250mW Frequenz - Übergang 250MHz Betriebstemperatur 125°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall 3-SIP Lieferantengerätepaket 3-SPA |
Hersteller ON Semiconductor Serie - Transistortyp NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.) 700mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 15V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 80mV @ 10mA, 100mA Strom - Kollektorabschaltung (max.) 1µA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 280 @ 50mA, 2V Leistung - max 250mW Frequenz - Übergang 250MHz Betriebstemperatur 125°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall 3-SIP Lieferantengerätepaket 3-SPA |
Hersteller ON Semiconductor Serie - Transistortyp NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.) 700mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 15V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 80mV @ 10mA, 100mA Strom - Kollektorabschaltung (max.) 1µA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 160 @ 50mA, 2V Leistung - max 250mW Frequenz - Übergang 250MHz Betriebstemperatur 125°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall 3-SIP Lieferantengerätepaket 3-SPA |
