2SC5347AF-TD-E Datenblatt
ON Semiconductor Hersteller ON Semiconductor Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 12V Frequenz - Übergang 4.7GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) 1.8dB @ 1GHz Gewinn 8dB Leistung - max 1.3W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 135 @ 50mA, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 150mA Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-243AA Lieferantengerätepaket PCP |
ON Semiconductor Hersteller ON Semiconductor Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 12V Frequenz - Übergang 4.7GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) 1.8dB @ 1GHz Gewinn 8dB Leistung - max 1.3W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 90 @ 50mA, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 150mA Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-243AA Lieferantengerätepaket PCP |