2SC1627A-Y Datenblatt
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Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage Serie - Transistortyp NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.) 400mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 80V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 400mV @ 20mA, 200A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 70 @ 50mA, 2V Leistung - max 800mW Frequenz - Übergang 100MHz Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-226-3, TO-92-3 Long Body Lieferantengerätepaket TO-92MOD |
Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage Serie - Transistortyp NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.) 400mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 80V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 400mV @ 20mA, 200A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 70 @ 50mA, 2V Leistung - max 800mW Frequenz - Übergang 100MHz Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-226-3, TO-92-3 Long Body Lieferantengerätepaket TO-92MOD |
