2N7639-GA Datenblatt
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GeneSiC Semiconductor
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2N7639-GA
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Hersteller GeneSiC Semiconductor Serie - FET-Typ - Technologie SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) Drain to Source Voltage (Vdss) 650V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 15A (Tc) (155°C) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) - Rds On (Max) @ Id, Vgs 105mOhm @ 15A Vgs (th) (Max) @ Id - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Vgs (Max) - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1534pF @ 35V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 172W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 225°C (TJ) Montagetyp Through Hole Lieferantengerätepaket TO-257 Paket / Fall TO-257-3 |
