2N5116 Datenblatt
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Central Semiconductor Corp
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2N5116
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Hersteller Central Semiconductor Corp Serie - FET-Typ P-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS) 30V Drain to Source Voltage (Vdss) - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) 5mA @ 15V Stromaufnahme (Id) - max - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id 1V @ 1nA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 25pF @ 15V Widerstand - RDS (Ein) 150 Ohms Leistung - max 500mW Betriebstemperatur -65°C ~ 200°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Lieferantengerätepaket TO-18 |
