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25TTS12 Datenblatt

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Vishay Semiconductor Diodes Division
Dieses Datenblatt behandelt 2 Teilenummern: 25TTS12, 25TTS08
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25TTS12

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Spannung - Aus Zustand

1.2kV

Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (max.)

2V

Current - Gate Trigger (Igt) (Max)

45mA

Spannung - Ein-Zustand (Vtm) (max.)

1.25V

Aktueller Ein-Zustand (It (AV)) (Max)

16A

Current - On State (It (RMS)) (max.)

25A

Current - Hold (Ih) (Max)

100mA

Current - Off State (Max)

500µA

Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm)

350A @ 50Hz

SCR-Typ

Standard Recovery

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3

Lieferantengerätepaket

TO-220AB

25TTS08

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Spannung - Aus Zustand

800V

Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (max.)

2V

Current - Gate Trigger (Igt) (Max)

45mA

Spannung - Ein-Zustand (Vtm) (max.)

1.25V

Aktueller Ein-Zustand (It (AV)) (Max)

16A

Current - On State (It (RMS)) (max.)

25A

Current - Hold (Ih) (Max)

100mA

Current - Off State (Max)

500µA

Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm)

350A @ 50Hz

SCR-Typ

Standard Recovery

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3

Lieferantengerätepaket

TO-220AB